Формат НОЦ объединит науку и производство
Директор по инфраструктурным проектам Региональной корпорации развития принял участие в третьей сессии Южного научно-образовательного центра в онлайн-формате.
Среди экспертов Южного НОЦ – представители МШУ «Сколково», научных организаций, вузов Ростовской области, органов власти, промышленных и аграрных предприятий, в том числе, предприятий- членов кластера «Южное созвездие».
Первый заместитель губернатора Ростовской области Игорь Гуськов, открывая работу сессии, поставил задачи перед участниками проектирования. Прежде всего, установить важность и необходимость реализации проектов в рамках НОЦ, провести анализ проектов с определением его статуса в мировой технологической повестке и определить результативность проектов. Он подчеркнул, что «… НОЦ важен для развития нашего региона с точки зрения антропотоков, вертикальной и горизонтальной системы разделения труда, развития инфраструктуры».
Тематика третьей сессии была посвящена вопросам развития индустрии. Как пояснил руководитель проектной работы, эксперт МШУ «Сколково» Денис Пономарев, необходимо говорить об исследованиях и разработках, но о тех, которые нужны реальному производителю.
Представитель РКР Вадим Кочнев, вошедший в рабочую группу по развитию связи и телекоммуникаций, выступил с докладом о проекте по организации в Ростовской области производства новой силовой и СВЧ электронной компонентной базы (ЭКБ).
Этот проект основан на научных исследованиях в сфере новой отечественной и мировой электронной индустрии с применением монокристаллов арсенида галлия (LPE i-GaAs), обладающих свойствами изолятора, полупроводника и проводника, ЭКБ-аналоговых и цифровых микросхем СВЧ- диапазона, и призван содействовать организации их производства.
LPE i-GaAs - технология и электронная компонентная база на его основе практически не присутствуют на мировом рынке, но они обладают высокой конкурентоспособностью и спросом за счет применения нового полупроводникового монокристалла, прежде всего, на рынках развитых стран: США, Германии, Великобритании, Японии.
Электронные компоненты на основе LPE арсенида галлия уникальны: совмещают в себе свойства полупроводника, диэлектрика, динамического проводника, динамического сверхпроводника при комнатной температуре, фотонного кристалла, фононного кристалла. Предоставляют возможность работы в экстремальных эксплуатационных условиях, в том числе в условиях космической радиации.
На новом материале – LPE GaAs - можно делать силовую гиперчастотную электронику; абсолютно новую, основанную на новых физических принципах СВЧ, технику; неизвестную в мире (на новых принципах) терагерцовую технику.
Представляя свой проект, рабочая группа надеется, что формат научно-образовательного центра при общих усилиях образования, науки и бизнеса может способствовать успешной реализации идей, кооперации индустриальных партнеров, повышению экспортного потенциала Дона и развитию региона в целом.
